美系外资预估，全球记忆体市场营收今年将下滑3%，但看好明年NAND成长优于DRAM，将带动整体记忆体市场营收成长15%，回到健康水准，个股推荐顺序为三星、东芝、SK海力士。
美系外资出具全球记忆体市场研究报告，预估今年NAND与DRAM合计营收将年减3%，但明年营收可望回到双位数成长的健康水准、年增15%，主因NAND预估明年将大幅成长25%，远优于DRAM预估成长7%。
虽然美系外资预估DRAM记忆体明年初仍将维持近乎供需平衡，但DRAM占智慧型手机材料成本比例拉高，恐导致DRAM明年成长趋缓。
反观NAND记忆体供给依旧吃紧，美系外资预期2018年第3季前NAND可望维持年增双位数的成长，加上3D NAND快闪记忆体出货看增且SSD市场成长强劲，预估2017年NAND市场规模将上看约400亿美元，并可望于2018年首度超越DRAM市场规模。
选股策略方面，美系外资考量DRAM市场营收将于第4季登上高峰，而NAND市场动能可望延续至2018年第3季，明年NAND族群与DRAM族群表现落差恐拉大，在亚洲记忆体类股推荐顺序为三星、东芝、SK海力士。
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